미래를 향한 비전
Vision for the future
Silicon Wafer Analyzer WA2560M
Silicon Wafer Analyzer WA2560MSilicon Wafer Analyzer WA2560M
Product Overview
- Silicon Wafer Analyzer WA2560M은 반도체 공정에서 실리콘 웨어퍼의 샘플을 채집하는 기기입니다.
WA2560M은 열로 탈착한 유기물을 샘플 튜브로 채집하는 오프라인 시스템입니다.
Features
- · 3~12인치(76~300mm) 실리콘 웨이퍼 측정 가능합니다.
- · 실리콘 웨이퍼 표면(한쪽 면) 700℃에서 측정 가능합니다.
- · 고감도 분석에 적합한 W/Quartz 챔버와 불활성 샘플 라인을 사용하고 있습니다.
- · 대기 모드에서 Purge 가스의 소모량이 적습니다.
- · Purge 가스(He, N2) 변환 기능
- · 간편한 작동: 시스템 조작은 터치 패널에서 가능합니다.
System Flow
내용없음
Quartz Chamber
Purge 가스는 원주위의 구멍을 통해 흐릅니다. 웨이퍼 표면에서 탈착된 가스는 흡입 펌프를 사용하여 채집 튜브로 채집됩니다.
12인치(300mm) 측정 가능
12인치(300mm) 측정 가능
Heater Furnace
웨이퍼는 실리콘 웨이퍼 표면의 추적 유기물을 탈착하기 위해 가열됩니다. 최대 온도는 700℃입니다. 가열이 완료된 후 Furnace Heater를 냉각시키기 위해 내부 공기는 Heater Furnace 바닥이나 시스템 뒷부분을 통해 배출됩니다.
Specifications
| Quartz Cell | Material: 석영
Wafer Size: 3~12인치(76~300mm) Trapping System: 한쪽 면에서 채집 (뒷면 배출) |
|---|---|
| Heater Furnace | Type: Heater Furnace 개폐를 위한 사각형 덮개
Open/Close: 덮개를 개폐하기 위한 Air Cylinder Actuator Operation Temp.: 100~700℃ |
| Flow-Pressure Control Unit | Carrier Gas: 헬륨 압력 조절(30~300kPa)
Purge Gas: 헬륨 유량 조절(최대 500mL/min) Trapping Flow: 헬륨 유량 조절(최대 200mL/min) Back Size Exhaust: 헬륨 유량 조절(최대 200mL/min) |
WA 2560M SPEC.
| Trap Unit | Trapping Tube: 1/4"외경 또는 6mm 트래핑 튜브
Trapping Temp.: 실내 온도(쿨링 팬으로 실내 온도까지 냉각) |
|---|---|
| Heater Block Unit | Temp. Setting: 270℃~300℃ |
| WA2560M | Dimensions: 1000(가로) x 1100(깊이) x 2130(높이) (탑 덕트 포함)
Weight: 약 450kg Power Supply: AC200V(볼트) 50/60Hz(헤르츠) 40A(암페어) |
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